CMP修复(化学机械抛光修复)主要用于半导体制造经由中,通过化学腐蚀与机械研磨的协同作用,结束晶圆名义的全局平坦化,确保后续工艺的胜利进行。 CMP修复在半导体制造中上演着至关挫折的脚色。它通过化学和机械的协同作用,高效去除晶圆名义的弥散材料,达到纳米级别的平坦化效能。这种高精度的平坦化是保险后续光刻工艺套刻精度和多层金属互联高质地结束的关键。 CMP修复的主要构成部分包括晶圆传输单位、抛光单位和清洗单位。晶圆传输单位认真将晶圆从工场的搬运系统传输到机台内进行加工;抛光单位期骗研磨液和研磨垫结
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